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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 示波器 > 探頭和附件 > IsoVu 光隔離探頭
簡要描述：發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號(hào)。IsoVu™ 探頭技術(shù)實(shí)際上通過光學(xué)隔離消除了共模干擾。這樣就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基準(zhǔn)電壓上提供精確的差分測量。借助我們的 IsoVu Generation 2 設(shè)計(jì)，您能獲得 IsoVu 技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，但大小僅為原來探頭尺寸的 1/5。IsoVu Gen 2 探頭憑借多功能 MMCX 連接器以及的帶寬、動(dòng)態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術(shù)設(shè)定新的標(biāo)準(zhǔn)。查看更多探針?NEW!泰克方案應(yīng)對(duì)汽車800V超充技術(shù)下電驅(qū)技術(shù)測試挑戰(zhàn)測不對(duì) SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)波形的 6 大原因測都測不對(duì)！何談抑制SiC MOSFET Crosstalk( 串?dāng)_) ？破解SiC、GaN 柵極動(dòng)態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2023-12-07訪 問 量：815產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
隔離探頭使用電（光學(xué)）或 RF 隔離將探頭的參考電壓與示波器的參考電壓（通常接地）隔離。這使電源設(shè)計(jì)人員能夠在存在大共模電壓的情況下準(zhǔn)確解析高帶寬、高電壓的差分信號(hào)。泰克已開發(fā)出一項(xiàng)新技術(shù) (IsoVu)，該技術(shù)使用電隔離在高帶寬內(nèi)提供同類探頭中優(yōu)秀的共模抑制性能。
與用于測量高壓信號(hào)的高帶寬傳統(tǒng)差分探頭相比，隔離性和高頻性相結(jié)合的 IsoVu 探頭為電源設(shè)計(jì)人員提供更精確的測量結(jié)果。應(yīng)用案例包括：
IsoVu 技術(shù)采用光纖供電和光模擬信號(hào)路徑，以在測量系統(tǒng)和 DUT 之間實(shí)現(xiàn)的電隔離。由于支持探頭在共模電壓下獨(dú)立浮動(dòng)，隔離可大大降低共模干擾。
與 4、5 或 6 系列 MSO 相結(jié)合，IsoVu 提供一種高效、可靠的方式解決快速參考轉(zhuǎn)換的高帶寬差分信號(hào)，從而使您能夠花費(fèi)更少的時(shí)間進(jìn)行各種“盲目設(shè)計(jì)"工作：
隔離可以避免差分測量誤差的常見來源
對(duì)于傳統(tǒng)差分探頭，您必須在高帶寬和高電壓之間做出選擇。IsoVu 探頭采用屏蔽同軸電纜和隔離功能，提供高帶寬和 ±2500V 的差分電壓范圍。
第二代IsoVu TIVP探頭提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的一系列帶寬，以適合您的預(yù)算并構(gòu)建具有特定項(xiàng)目所需性能的工作平臺(tái)。
第二代IsoVu探頭提供與我們的原始 IsoVu 探頭相同的帶寬、共模抑制性能和電壓范圍，但尺寸僅為其 1/5，且去除單獨(dú)的控制器盒。緊湊的探頭和示波器連接器中含激光器和模擬電子技術(shù)。較之原始 IsoVu 探頭，第二代光隔離探頭還具有：
IsoVu 探頭端部具有一系列可提供高性能和可及性的連接件和附件。
例如，MMCX 連接器是經(jīng)濟(jì)的、可廣泛使用的連接器，可提供穩(wěn)定的免手持的測試點(diǎn)，并提供優(yōu)秀的帶寬和共模抑制。其堅(jiān)固的金屬主體屏蔽中心導(dǎo)線，并地減小接地環(huán)路面積，從而將干擾降至。
其他附件也可用于使探頭端部適應(yīng)多種連接方式。對(duì)于需要大于 ±250V 差分電壓的應(yīng)用，還可另外提供 0.100 " 和 0.200 " 間距的方針端部。
不使用探頭時(shí)，傳感器探頭在探頭 SMA 連接器處具有 1MΩ 和 50Ω 可切換終端。此功能可以有效地向任何兼容示波器添加隔離通道。
閱讀有關(guān) IsoVu 附件的更多信息（含帶寬和 CMRR 圖）
| 型號(hào) | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電纜長度 | 報(bào)價(jià) | Configure And Quote |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 | US $14,100 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 | US $20,300 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 | US $25,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 | US $31,800 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 | US $37,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 | US $43,400 | 配置和報(bào)價(jià) |
| 型號(hào) | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電纜長度 | 報(bào)價(jià) | Configure And Quote |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 | US $14,100 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 | US $20,300 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 | US $25,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 | US $31,800 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 | US $37,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
| TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 | US $43,400 | 配置和報(bào)價(jià) |
| 主要指標(biāo) | Tektronix TIVP（帶 TIVPMX50X 端部*） | Tektronix TIVH（帶 MMCX250X 端部*） 不再可訂購 | Tektronix THDP0200 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用 | 高壓測 VGS， VDS， 寬禁帶（GaN 和 SiC）檢定，SMPS 優(yōu)化，溫度測試（使用 SMA 電纜） | 高壓測 VGS， 寬禁帶（GaN 和 SiC）檢定，SMPS 優(yōu)化 | 通用， 基于 Si 和 IGBT 的電力電子設(shè)備 |
| 帶寬 | 200 MHz，500 MHz，1 GHz | 200 MHz，500 MHz，800 MHz | 160 MHz，200 MHz |
| 上升時(shí)間 | 450ps，850ps，2ns | 450ps，850ps，2ns | 1.75ns |
| CMRR @DC | 150 dB | 150 dB | 80 dB |
| CMRR @100 MHz | 100 dB | 85 dB | 26 dB |
| 差分 電壓范圍 | 通過可變?cè)鲆嬲{(diào)節(jié) 高達(dá) 3.3kV | 通過端部衰減調(diào)節(jié) 高達(dá) 2.5kV | 150V，1500V |
| 共模電壓范圍 | ±60kV | ±60kV | ±1500V |
| 偏置電壓范圍 | ±250V* | ±250V* | 50X 示波器輸入偏置范圍 ±50V（典型值） |
| 電壓降額 | 25 MHz以內(nèi)全量程，800 MHz 時(shí)為 20V* | 25 MHz以內(nèi)全量程，800 MHz 時(shí)為 20V* | 1 MHz以內(nèi)全量程， 100 MHz 時(shí)為 25V |
| 輸入阻抗 | 10 MΩ || 3 pF * | 10 M? || 2 pF | 10 M? || 2 pF |
| 工作溫度范圍 | 0°C 至 50°C（傳感器頭） | 0°C 至 70°C（傳感器頭） | 0°C 至 40°C |
| 示波器兼容性 | 4/5/6 系列 MSO | 所有 TekVPI 示波器 （包括 4/5/6 系列 MSO） | 所有 TekVPI 示波器 （包括 4/5/6 系列 MSO） |
*出于比較目的選定 THDP0200 的值
在半橋功率轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行高壓測信號(hào)測量具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)閰⒖紲y量的源端或集端會(huì)快速上下震蕩。SiC 和 GaN FET 等寬禁帶器件甚至更難測量，因其可以在幾納秒內(nèi)切換到高電壓?？焖僮兓墓材ｋ妷核a(chǎn)生的噪聲會(huì)泄漏到差分測量中，并隱藏 VGS 和 VDS 的真實(shí)情況。IsoVu 探頭具有的全帶寬共模抑制性能，通常一次即可讓信號(hào)的真實(shí)情況一覽無余。
閱讀有關(guān)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的更多信息
通過測量分流電阻兩端的差分電壓可輕松獲得準(zhǔn)確的電流測量值。但由于受到共模電壓的影響，這會(huì)是非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。IsoVu 憑借其高共模電壓量程和高共模抑制能力，能完成其他產(chǎn)品不能完成的測試。
如果超出功能測試范圍來解決 ESD 故障根本原因，可能會(huì)不盡如人意。使用傳統(tǒng)電探頭時(shí)，即使示波器位于法拉第籠外，ESD 放電也會(huì)耦合到探頭中并沿電纜向下傳播至示波器。示波器上看到的任何波形均不能代表測試點(diǎn)實(shí)際發(fā)生的情況。但受益于光學(xué)隔離技術(shù)，IsoVu 第 2 代探頭可以防止耦合，并且可以在 ESD 和 EFT 測試期間提供更準(zhǔn)確的 DUT行為，而不僅僅是簡單的系統(tǒng)測試。
測量系統(tǒng)可用于以下泰克示波器。需要使用示波器1.28軟件版本或更高版本。對(duì)于未列入此列表的示波器，請(qǐng)與當(dāng)?shù)靥┛虽N售聯(lián)系。
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